Библиотека Интернет Индустрии I2R.ru

"Возможно, это будет новое поколение компьютерной памяти, - говорит Шенг Т. Хсу, директор процессорных технологий американских лабораториях Sharp. - Она может использоваться в ПК, сотовых телефонах, в сетях - везде, где нужны запоминающие устройства".

Поглощающий много времени и часто весьма утомительный процесс загрузки или перезагрузки операционной системы может скоро бесповоротно уйти в прошлое вследствие революционной разработки в области компьютерной памяти.

Новая технология thin-film основана на резисторной логике, а не на традиционной транзисторной логике, использующейся в большинстве ПК и прочих устройствах, имеющих микросхемы памяти. Она также значительно быстрее, чем современные технологии, и потенциально позволяет уменьшить время, необходимое для загрузки компьютера или передачи мультимедийного контента и больших объемов данных.

"В отличие от памяти, использующейся в большинстве компьютеров, наша разработка является энергонезависимой", - сказал директор Техасского центра сверхпроводимости и передовых материалов Хьюстонского университета Алекс Игнатьев, который был одним из исследователей, работавших над технологией thin-film. Сегодня ПК используют два типа памяти: оперативная память (RAM) и магнитная память (главным образом жесткие диски). Когда электричество внезапно выключается, а компьютер не подключен к ИБП, вся информация из RAM пропадает. Большинство жестких дисков использует магнетические свойства для хранения данных. Это механические системы, которые работают медленно. По мнению Игнатьева, технология резисторной оперативной памяти может заменить и RAM, и магнитную память.

"Это постоянная устойчивая память, при этом она электронная, без каких бы то ни было механических частей, которые используются в жестких дисках для считывания и хранения данных", - сказал Игнатьев. Таким образом, если компьютер выключается , вся информация остается на месте до того момента, когда компьютер снова включается. При перезапуске компьютера пользователи не теряют никаких несохраненных данных. Игнатьев отмечает, что новая технология примерно в 1000 раз быстрее, чем флэш-память - самая быстрая на сегодняшний день немеханическая память на рынке.