Компания Tezzaron Semiconductor (известная ранее как
Tachyon Semiconductor), объявила о создании прототипа
модуля оперативной памяти c рекордными
характеристиками. Псевдостатическая
память PSiRAM обеспечивает отклик в течение 1,3
нс, продолжительность цикла обращения 1 нс и
пропускную способность 2 Гбит/с на каждом
информационном выводе.
Литера "i" в названии новой памяти
символизирует электрический ток, потому
что её трёхтранзисторные ячейки устроены
так, что реагируют на изменение
протекающего тока, а не напряжения.
Протототип сконструирован в варианте 32-мегабитного
модуля в конфигурации 2 Мб х 16 бит.
Напряжение питания составляет 1,2 В, но
возможна работа и при 0,8 В. В этом случае
память работает на частоте 400 МГц и
рассеивает всего 0,125 ватт тепловой мощности.
Модуль PSiRAM был изготовлен по 90-нанометровому
техпроцессу, размер ячеек памяти составил
0,59 квадратных микрон. Вследствие
использования КМОП-логики новая память
хорошо подходит для проектирования
одночиповых (SoC) устройств. Tezzaron
рассматривает возможность лицензирования
своей технологии среди производителей SoC-систем.
Массовое производство PSiRAM начнётся в
следующем году. Сначала появятся модули,
сделанные по 130-нанометровому техпроцессу,
позже будет освоено 90-нанометровое
производство.
