Библиотека Интернет Индустрии I2R.ru

Микросхемы флэш-памяти семейства Spansion основаны на технологии MirrorBit, обеспечивающей значительное сокращение потребной площади кристалла, а также числа шагов технологического процесса. Благодаря увеличенному выходу годных микросхем, решения Spansion, основанные на технологии MirrorBit, опережают архитектуру multi-level cell (MLC) на целое поколение в части ценовой структуры независимо от использования технологических процессов того или иного поколения. Решения флэш-памяти Spansion, производимые по технологическому процессу с проектной нормой 130/110 нм, обладают ценовой структурой, эквивалентной либо лучшей, нежели у решений MLC с проектной нормой 90 нм или у решений Floating Gate с проектной нормой 65 нм и хранением 1 бита данных в каждой ячейке. Микросхема Spansion S29GL512N может использоваться для создания со сравнительно небольшими затратами крупных массивов памяти, свободных от недостатков альтернативных решений аналогичного уровня плотности записи информации. В отличие от конкурирующих решений флэш-памяти, основанных на архитектуре NAND, устройство Spansion S29GL512N имеет хорошо знакомый разработчикам, простой в использовании интерфейс отображения адресного пространства, применение которого упрощает проектирование систем и сокращает сроки выхода на рынок. Благодаря устоявшемуся, дружественному интерфейсу отпадает необходимость в дополнительной работе над интерфейсом и создании новых программных алгоритмов, а также в дополнительных элементах электронных схем, обеспечивающих обнаружение ошибок (такие элементы схем необходимы для выявления возможных ошибок в отдельных битах информации, хранимой с использованием технологии NAND).

Микросхема Spansion емкостью 512 Мбит - первый продукт в новом семействе, в которое войдут также устройства флэш-памяти емкостью 256 и 128 Мбит. Первоначально 512-Мбитные микросхемы будут производиться с использованием существующего технологического процесса второго поколения с проектной нормой 130 нм. В дальнейшем планируется переход на проектную норму 110 нм. Устройства емкостью 256 и 128 Мбит с самого начала будут проектироваться под 110-нм процесс. Устройства нового семейства пополнят ассортимент предлагаемых продуктов. Они будут стоить дешевле решений высокой плотности записи информации, основанных на технологии MirrorBit первого поколения. Обеспечена полная совместимость по внешним выводам всех устройств емкостью от 16 до 512 Мбит. С этим новым пополнением семейство решений флэш-памяти Spansion открывает перед разработчиками и производителями путь к всеобъемлющему сокращению издержек и переходу на устройства более высокой плотности записи информации.

В настоящее время распространяются промышленные образцы микросхемы S29GL512N. Устройства S29GL256N (емкостью 256 Мбит) и S29GL128N (128 Мбит) планируются к выходу на этот этап производственного цикла в середине 2004 г. Устройства флэш-памяти Spansion, включая S29GL512N, распространяются AMD и Fujitsu. Устройство S29GL512N продается по цене $27,5 за штуку в партиях по 10 тыс. шт.