Немецкий производитель модулей
оперативной памяти, компания Infineon
претендует на то, что произведенный ей
гигабитный модуль DDR SDRAM является самым
миниатюрным чипом данного типа.
Представленная Infineon микросхема
производится по 110-нанометровой технологии.
Микросхема 1 Гбит DRAM (SDRAM) имеет размер в 160
мм2. Для нее используется стандартный
66-пиновый корпус TSOP или же в 68-пиновый FBGA.
Возможны комбинации x4, x8 и x16. Значения новых
модулей DDR лежат в пределах от DDR266 до DDR400 с
возможной рабочей частотой от 133 до 200 МГц.
По заявлению компании, планируется
использовать такую упаковку и для создания
модулей емкостью в 4 Гб. Infineon также
планирует выпускать модули памяти SO-DIMM для
ноутбуков, емкостью в 1 и 2 Гб. Начало продаж
новых модулей намечено на начало
следующего года.
