Корпорация Intel на конференции инженеров и ученых, занимающихся полупроводниками, — Silicon Nanoelectronics Workshop 2001 в Японии - объявила о достижениях в своих исследованиях по созданию самых быстрых кремниевых транзисторов в мире, тем самым продемонстрировав, что непреодолимых барьеров для продолжения действия закона Мура до конца этого десятилетия не существует. Новые транзисторы с элементами размером всего 20 нанометров позволят Intel создать примерно к 2007 г. микропроцессоры, которые будут содержать порядка миллиарда транзисторов и работать на частоте до 20 ГГц при напряжении питания менее одного вольта.
Многие исследователи говорили о том, что в будущем нанотехнология вытеснит полупроводниковую, однако достижения Intel свидетельствуют о том, что эти технологии на самом деле дополняют друг друга.
«Мы до сих пор не достигли барьера на пути сокращения размеров кремниевых транзисторов, — считает член ученого совета Intel, руководитель исследований в области транзисторов подразделения Intel Logic Technology Development д-р Роберт Чу (Robert Chau). — Темпы развития полупроводниковых технологий растут, а не замедляются».
Транзисторы – основные элементы микропроцессоров, чем они меньше, тем быстрее работают, а новые транзисторы меньше старых на 30% и на 25% быстрее. Такие транзисторы составят основу нового поколения технологических процессов 45 нм (0,045 мкм), которые Intel планирует внедрить в производство ориентировочно в 2007 г.
