Исследователи из Университета штата
Огайо разработали диод нового
типа, который отличается самой высокой на
сегодня проводимостью. Это изобретение
поможет создавать электронные устройства с
высоким уровнем быстродействия и низким
энергопотреблением.
Новый диод способен пропускать ток в 150
килоампер на квадратный сантиметр. Это
втрое выше максимальных нагрузок
современных туннельных диодов. Причём в
отличие от последних, новинка совместима по
электрическим параметрам с кремниевыми
микросхемами, что открывает широкие
области для её применения.
В процессе работы исследователям
пришлось решить проблему создания
кремниевых структур с большим количеством
примесей бора и фосфора. Когда материал был
готов, учёные сконструировали кремниево-германиевый
"бутерброд" нанометровых масштабов,
который и продемонстрировал требуемые
свойства.
Разработчики считают, что новый компонент
будет весьма полезен в радиопередающих
устройствах, которые ограничены в питании,
но обязаны выдавать мощный сигнал. Кроме
этого, новые диоды пригодятся для
бесконтактной диагностики медицинских
имплантов, осуществляемой без вторжения в
тело пациента.
