Компания Samsung Electronics
сообщила о создании флэш-памяти типа NAND
емкостью 4 ГБ по 70-нанометровой технологии.
Новый чип представляет собой четвертое
поколение NAND-памяти Samsung.
К 2007 году объем мирового рынка NAND-памяти
составит $16 млрд., считают аналитики, тогда
как в нынешнем году он достиг $3 млрд. Samsung
обслуживает на данный момент 65% этого рынка.
Представители Samsung сообщили также, что
компания разработала технологию массового
производства модулей DDR DRAM емкостью 512 МБ по
80-нанометровому процессу. Также они
анонсировали новую технологию "сращивания
памяти" (fusion memory), позволяющую объединить
емкость флэш-памяти типа NAND со скоростью
передачи данных, свойственной NOR-памяти.
